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这种电阻漂移可以通过降温冻结，独步并且在200K以下消除b.在不同温度下随照明功率变化的载流子密度nhc.从b中提取的温度相关的单分子（黑色）和双分子（蓝色）电子-空穴复合系数d.直接瞬态光电流测量确定的载流子复合寿命与c中从重组系数中提取的载流子复合寿命之间的比较e.在不同载流子浓度下霍尔迁移率随温度的变化f.通道长度为2µm的两端光电导体器件的光电流增益值图5.最低温度下的磁阻a.从20K到3.5K的弱局域化信号与拟合b.相干长度与温度的关系【小结】通过高质量的vdW接触，独步实现了对软晶格离子型卤化物钙钛矿中高霍尔迁移率和量子干涉引起的弱局域化效应的可靠观察，表明可以将钙钛矿作为基础输运研究的独特材料平台，也是超越常规共价半导体的新物理学探索。然而，两化尽管对于钙钛矿的自旋电子学的光学研究进展令人振奋，但迄今为止，相关的输运研究在很大程度上一直受到不良接触的困扰。

此外，护航磁输运研究揭示了量子干涉引起的弱局域化行为，在3.5K时相干长度高达49nm，研究结果为探索这类软晶格材料的新物理学奠定了基础。珠海该成果以题为ProbingphotoelectricaltransportinleadhalideperovskiteswithvanderWaalscontacts发表在Nat.Nanotech.上。